삼성 파운드리 '초격차'..쓰기속도 1000배 빠른 eMRAM 첫 출하

- D램 ‘빠른 속도’ㆍ플래시 ‘비휘발성’ 장점 접목
- 저전력 28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM 출하
- 기존 eFlash대비 1000배 빠른 쓰기속도 구현

삼성전자 파운드리 생산라인 전경 [삼성전자 제공]

[헤럴드경제=천예선 기자] 삼성전자가 반도체 파운드리(수탁생산)에서 또 한 번의 ‘초격차’로 시장 공략을 강화한다.

삼성전자는 6일 “28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM(내장형 MRAM) 솔루션 제품을 출하했다”고 밝혔다.

이날 삼성전자 기흥캠퍼스에서는 ‘28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM’ 양산 제품의 첫 출하를 기념하는 행사도 열렸다.

FD-SOI 공정(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터)은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄여 저전력 반도체를 가능케 하는 공정이다.

또 MRAM은 전원을 꺼도 데이터가 유지되는 비휘발성이면서도 D램 수준으로 속도가 빠른 특성을 가지는 메모리 반도체를 말한다.

삼성전자는 이 두 기술을 합쳐 전력을 적게 소모하면서 속도는 매우 빠르고, 소형화가 쉬우면서도 가격까지 저렴한 차세대 내장 메모리를 만들었다.

삼성전자 관계자는 “파운드리 사업부가 SoC(System on Chip)에 이 제품을 결합해 파운드리 분야 기술 리더십을 강화한 것”이라고 설명했다.

내장형 메모리는 IoT(사물인터넷) 기기 등 소형 전자 제품에 사용되는 MCU(Micro Controller Unit)나 SoC 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈이다.

주로 플래시를 기반으로 한 eFlash가 사용되지만, eFlash는 데이터를 기록할 때 먼저 저장돼있던 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거치기 때문에 속도와 전력효율 측면에서 단점이 있다.

삼성전자의 ‘28나노 FD-SOI eMRAM’ 솔루션은 데이터 기록시 삭제 과정이 필요없고, 기존 eFlash보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 구현한다.

비휘발성 특성도 지녀 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지해 대기 전력을 소모하지 않으며, 데이터 기록시 필요한 동작 전압도 낮아 전력 효율이 뛰어나다. 구조가 단순해 기존 로직 공정 기반의 설계에 최소한의 레이어를 더하는 것만으로 구현이 가능하기 때문에 고객들의 설계 부담을 줄이고 생산비용도 낮출 수 있다.

이상현 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 상무는 “신소재 활용에 대한 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다”며 “이미 검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 eMRAM을 확대 적용해 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 제공함으로써 고객과 시장의 요구에 대응해갈 것”이라고 밝혔다.

삼성전자는 올해 안에 1Gb eMRAM 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대해 차별화된 파운드리 경쟁력을 제공한다는 전략이다.

cheon@heraldcorp.com
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