韓-中간 D램 기술격차 5년 이상.."패권 변화 쉽지 않을 것"

낸드플래시는 기술격차 2년..중장기적으로 경쟁심화 관측도

[아이뉴스24 서민지 기자] 중국이 2025년까지 반도체 자급률 70%를 목표로 정책 지원에 적극 나서고 있는 가운데 D램 시장에서 한국과 격차가 5년 이상에 달한다는 분석이 나왔다. 한국의 차세대 기술 적용으로 격차는 더욱 벌어질 수 있으며, 패권 변화가 이뤄질 가능성은 적다는 관측이다.

다만 낸드플래시의 경우 한중간 기술 격차는 2년 정도로, 향후 경쟁이 심화될 가능성이 높다.

11일 업계에 따르면 한국수출입은행 해외경제연구소는 최근 발간한 '중국 반도체산업 현황 및 전망' 보고서에서 한국과 중국의 D램 기술 격차를 5년 이상으로 추정했다. 한국은 2021년 4세대 D램 양산을 추진하고 있지만, 중국은 지난해 10나노 1세대 D램 양산, 올해 2세대 D램 양산을 추진하고 있다.

11일 업계에 따르면 한국수출입은행 해외경제연구소는 최근 발간한 '중국 반도체산업 현황 및 전망' 보고서에서 한국과 중국의 D램 기술 격차를 5년 이상으로 추정했다. [사진=삼성전자]

D램은 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 94%가량을 차지하고 있는 시장이다. 한국 기업의 시장점유율은 74%에 달한다.

특히 한국은 차세대 D램에 EUV(극자외선) 노광 기술을 적용할 계획으로, 장비의 높은 가격, 제한된 공급능력 등으로 인해 후발주자와 격차를 보다 확대할 가능성이 있다는 관측이다.

낸드플래시의 경우 한중간 기술격차를 2년 이상으로 봤다. 한국은 지난해 128단 3D 낸드플래시를 양산했는데, 중국은 올해 말에서 내년 상반기 양산이 가능할 것으로 보인다. 여기에 수율 등을 고려하면 차이는 2년 이상으로 벌어질 것으로 예상된다.

파운드리 시장에서도 격차는 상당히 벌어진 것으로 봤다. 세계 5위이자 중국 1위 파운드리 업체인 SMIC는 지난해 말 14나노 공정을 도입했고, 오는 4분기 7나노 양산계획을 발표했지만 EUV 노광장비 도입이 어려워 7나노 이하 양산은 어려울 것이라는 전망이다. 올해 2분기 5나노 양산 시작, 4나노 개발 중인 삼성전자와 비교하면 격차는 2세대(4~6년) 뒤처졌다는 분석이다.

팹리스의 경우 중국이 세계적 수준으로 성장한 반면 한국은 경쟁력이 악화됐다는 평가다. 팹리스는 지난해 기준 미국이 65% 점유율로 시장을 주도하고 있다. 이어 대만(17%), 중국(15%), 유럽(2%), 한국(1%) 순이다.

선도국 대비 반도체 장비 기술 수준은 한국이 90.4%, 중국이 75.1%로, 한중간 기술 격차는 1.2년으로 좁혀졌다. 한국과 중국은 기술 진입장벽이 상대적으로 낮은 식각, 증착, 세정장비, 후공정장비 등을 중심으로 사업을 영위하고 있으며, 중국의 정책적 지원 등으로 기술 격차가 좁혀졌다는 분석이다.

보고서는 "D램은 디스플레이산업 패권 변화처럼 빠른 변화는 발생하지 않을 것"이라며 "낸드플래시는 중장기적으로 경쟁이 심화될 가능성이 있다"고 밝혔다.

이어 "파운드리는 한중이 직접적 경쟁관계는 아니지만 중국이 첨단공정 기술력 제고를 추진해 향후 미중관계 개선시 경쟁 관계가 될 가능성이 있다"면서 "반도체 장비의 경우 한중간 기술격차는 좁혀졌으나 미국의 화웨이 제재 강화 등으로 중국이 반도체 장비의 미국 의존도를 낮출 것으로 예상돼 기회와 위협이 공존한다"고 분석했다.

서민지기자 jisseo@inews24.com

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