삼성전자 "新 낸드에 '더블스택' 기술 적용..256단까지 쌓는다"

세계 낸드 점유율 1위인 삼성전자가 차세대 V낸드에 256단 적층이 가능한 '투 스택'(Two Stack, 더블스택)' 기술을 적용할 계획이라고 밝혔다.

삼성전자 서초사옥. 뉴시스

1일 삼성전자에 따르면 전날 열린 '삼성전자 투자자 포럼 2020'에 참석한 메모리사업부 마케팅팀 한진만 전무는 "차세대 V낸드에 '투 스택'(Two Stack) 기술을 적용할 예정"이라며 "현재 6세대 V낸드는 '싱글 스택' 기술로 128단을 적층하는데, 투 스택 기술을 적용할 경우 단순 계산해 256단 적층까지 가능하다"고 말했다.
다만 실제로 몇단까지 적층을 할지는 시장 판단에 따라 달라질 것이라고 밝혔다.

한 전무는 "실제 적층 단수는 소비자 수요와 시장 상황 등을 고려해 내부 전략에 따라 달라질 것"이라며 "'얼마나 쌓을 수 있냐'가 아니라 '현시점에서 시장에 최적화된 단수가 무엇이냐'의 문제"라고 설명했다.

세계 낸드 점유율 1위 기업인 삼성전자가 차세대 V낸드(vertical NAND)에 '더블 스택' 기술을 도입해 256단 적층까지 가능하다고 밝혔다. 사진은 삼성전자 차세대 V낸드에 더블스택 기술 적용 모습.삼성전자 IR 제공=연합뉴스.

전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체인 낸드플래시는 단 수를 높이 쌓아 올릴수록 저장할 수 있는 데이터양이 많아진다.

한 전무가 언급한 더블스택 기술은 단일로 셀을 쌓는 '싱글스택'(single stack) 기술보다 적층 수를 빠르게 높일 수 있지만, 더 많은 공정 과정이 들어가는 게 단점이다.

삼성전자는 128단인 6세대 V낸드의 차기작인 7세대 V낸드를 내년에 양산할 계획이다. 7세대 낸드의 단수는 공개되지 않았다.

한 전무는 "낸드플래시 수요는 스마트폰 5G 전환과 서버 SSD 수요로 2024년까지 약 30∼35％ 규모의 연평균 성장률을 보이고, D램은 모바일과 서버를 중심으로 15∼20％의 연평균성장률을 나타낼 것"으로 예측했다.

영국 시장조사업체 옴디아에 따르면 지난해 말 기준 낸드 점유율은 ▶삼성전자 35.9% ▶키옥시아가19.0% ▶웨스턴 디지털 13.8% ▶마이크론 11.1% ▶SK하이닉스9.9% ▶인텔 9.5% 순이다. 다만 추후 하이닉스의 인텔 인수 절차가 마무리되면 SK하이닉스의 점유율은 20%까지 늘어난다.

신혜연 기자 shin.hyeyeon@joongang.co.kr