삼성전자 '시스템반도체 톱' 도전..잇단 外風 정면돌파 의지 [글로벌 반도체 패권전쟁]

평택2공장 신규라인 조기가동 의미
평택캠퍼스는 차세대 반도체 '전초기지'
2030년까지 133조원 투자 '큰그림' 완성
미국 공장 증설·라이벌 공격 투자 변수

경기도 평택시 고덕면에 위치한 삼성전자 평택캠퍼스 전경. 사진 아래 쪽이 평택2공장(P2)이다. [삼성전자 제공]

삼성전자가 사실상 평택2공장(P2) 신규 생산라인의 조기 가동에 돌입하면서 글로벌 반도체 쇼티지(공급부족) 사태와 사법리스크 등 잇따른 외풍 속에서 정면승부를 선택했다는 분석이 나온다.

15일 재계에 따르면 삼성전자는 오는 2030년까지 ‘시스템 반도체 글로벌 1위 달성’을 목표로 세우고 1160억 달러(약 133조원)에 달하는 투자 계획을 밝힌 바 있다. 시스템 반도체 사업의 미래 성장성을 예견한 삼성전자가 기존의 메모리 반도체 분야 글로벌 1위 저력을 바탕으로 시스템 반도체 시장에도 도전장을 던진 것이다.

시스템 반도체는 비메모리 반도체를 포괄하는 것으로 대부분의 파운드리(반도체 위탁생산) 분야가 여기에 포함된다. 파운드리 시장의 강자는 대만의 TSMC로 1분기 기준 글로벌 시장 점유율이 56%에 달한다. 2위인 삼성전자는 점유율이 18%로 밀리지만 10나노미터(1nm=10억분의 1m)급 이하 초미세공정 부문만 놓고 보면 점유율은 TSMC 60%, 삼성전자가 40%로 충분히 해볼만 한 싸움이라는 분석이 나온다.

이 같은 삼성전자의 장기계획에 핵심 역할을 할 것으로 기대되는 곳이 바로 경기도 평택시에 위치한 평택캠퍼스다. 전체 부지만 289만㎡의 부지를 자랑하는 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지로 주목받는 곳이다.

지난 2015년부터 조성된 평택1공장(P1)은 2017년 6월부터 양산을 시작했다. 평택2공장(P2)은 2018년 1월 착공돼 지난해 업계 최초로 EUV(극자외선) 최첨단 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 양산했고, 올해는 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품에 대한 조기 생산에 돌입하면서 사실상 완전 가동 수순에 진입했다.

특히 평택2공장에만 총 30조원 이상의 대규모 투자가 집행됐고 약 3만명 이상의 고용창출 효과가 기대되는 등 지역사회에 끼치는 경제적 파급력도 막대할 것으로 전망된다.

삼성전자의 투자시계도 한층 빨라질 전망이다. 현재 평택3공장(P3)은 기초 공사가 한창 진행 중이다. 삼성전자는 향후 평택캠퍼스에 4·5·6공장도 신설할 계획이다. 아직 어떤 라인이 들어설지 구체적인 계획은 공개되지 않았지만, 업계는 파운드리를 중심으로 최첨단 생산 라인을 구축할 것으로 보고 있다.

다만 삼성전자가 목표를 향해 순항하기 위해서는 극복해야 할 과제도 적지 않다. 최대 라이벌로 꼽히는 TSMC는 연초부터 공격적인 투자 행보에 나서고 있다. 올해에만 약 31조원을 먼저 투자하기로 했고, 앞으로 3년간 113조원에 달하는 막대한 금액을 투입할 예정이다.

미국 시장에 대한 투자 여부도 변수다. 조 바이든 행정부를 중심으로 자국 내 반도체 생산 요구가 높아지는 가운데 삼성전자는 미국 현지에 약 170억달러(약 19조원)을 투자해 파운드리 공장 증설에 나설 것으로 외신 등을 통해 전해지고 있다. 현재 텍사스주 오스틴시를 비롯해 애리조나·뉴욕주 등이 치열한 유치 경쟁을 벌이고 있으며, 오는 여름까지 결론이 날 수 있다는 관측이 제기된다.

파운드리 사업 분야에만 집중할 수 없는 점도 부담이다. 업계에 따르면 D램과 낸드플래시 등 메모리 사업 부문의 경우 삼성전자의 올해 투자 계획이 상대적으로 보수적으로 잡힌 것으로 전해졌다. 반면 미국의 마이크론 등 글로벌 경쟁사들의 공격적인 투자와 기술개발로 삼성전자의 ‘초격차 전략’에 도전하는 상황이다.

최근 정부가 반도체 사업 지원에 속도를 내는 점은 긍정적은 부분으로 꼽힌다. 성윤모 산업통상자원부 장관은 지난 14일 ‘반도체 인력양성 간담회’에서 “반도체 산업의 여건과 타국 입법 동향 등을 감안해 반도체 특별법 제정을 검토해나가겠다”고 밝혔다. 양대근·김성미 기자