삼성 평택 '파운드리 생산라인' 6월 조기가동
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글로벌 주요 국가들의 반도체 패권경쟁이 가속화하는 가운데 삼성전자의 신규 파운드리(반도체 위탁생산) 생산라인이 이르면 오는 6월께 조기 가동된다.
삼성전자의 반도체 부문(DS)을 총괄하는 김기남 부회장 역시 지난달 주주총회에서 주주질의 등을 통해 당초보다 시일을 앞당겨 EUV 파운드리 라인을 조기 가동하겠다는 계획을 밝힌 바 있다.
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웨이퍼 투입..2~3개월 소요
100% 완전가동 하반기 가능
글로벌 주요 국가들의 반도체 패권경쟁이 가속화하는 가운데 삼성전자의 신규 파운드리(반도체 위탁생산) 생산라인이 이르면 오는 6월께 조기 가동된다.
기존에 예정됐던 하반기보다 일정이 앞당겨진 것으로, 반도체 수급 불균형 상황을 유리하게 가져가기 위한 삼성전자의 ‘히든 카드’가 될 것으로 점쳐진다.
15일 재계와 평택 지역 상공업계 등에 따르면 삼성전자 평택캠퍼스 평택2공장(P2)의 새로운 생산라인에 최근 웨이퍼(실리콘 기판)가 투입됐다. 전세계에서 수요가 높아진 파운드리 관련 품목이 유력한 것으로 전해졌다. ▶관련기사 3면
반도체 공정은 기본재료인 웨이퍼 위에 회로도를 얹어놓고 노광·식각·증착·이온주입 등의 절차로 이뤄진다. 품목에 따라 완성 시간은 조금씩 다르지만 웨이퍼가 생산라인에 들어간 이후 칩으로 나올 때까지 걸리는 시간은 대략 2개월에서 3개월 가량 소요된다.
통상 칩이 생산된 시점을 기준으로 양산에 들어간 것으로 보기 때문에 사실상 상반기 내 조기가동을 목표로 생산라인에 웨이퍼가 투입된 것으로 해석된다.
이번 조기 가동과 관련 업계에서는 “예견된 수순”이라는 반응이 나온다. 지난 2015년부터 조성이 시작된 평택캠퍼스는 삼성전자의 ‘차세대 반도체’ 전초기지로 꼽힌다.
평택1공장(P1)은 지난 2017년 6월부터 양산이 시작됐으며, 2018년 착공한 평택2공장은 작년 하반기에 우선적으로 EUV(극자외선) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램 양산에 돌입한 바 있다.
이어 올해 초미세 파운드리와 차세대 V낸드 등 후속 생산라인까지 본격 가동되면 완전한 생산체제에 들어가는 것이다.
지난 1월 이재용 삼성전자 부회장이 신년 첫 행보로 시무식 대신 평택2공장을 찾은 것도 역시 이 같은 중요성을 반영했다는 분석이 나온다. 삼성전자의 반도체 부문(DS)을 총괄하는 김기남 부회장 역시 지난달 주주총회에서 주주질의 등을 통해 당초보다 시일을 앞당겨 EUV 파운드리 라인을 조기 가동하겠다는 계획을 밝힌 바 있다.
다만 평택2공장의 완전 가동에는 좀 더 시간이 필요할 것으로 관측된다. 이와 관련 삼성전자 관계자는 “기존 계획대로 하반기 가동을 목표로 준비하고 있다”고 말했다.
또다른 재계 관계자는 “연초부터 공정률 끌어올리는 것으로 알고 있다”면서 “조기가동을 하더라도 100% 완전 가동에 들어가는 것은 하반기에 가능할 것”이라고 말했다.
양대근·김성미 기자
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