삼성전자 "7세대 V낸드 양산"..다시 초격차 고삐 죈다

◆ 삼성전자 실적 발표 ◆

반도체 경쟁사들의 기술 추격이 빨라진 가운데 메모리 1위 삼성전자가 올 하반기에 7세대 176단 적층(V) 3차원(3D) 낸드플래시를 양산하겠다고 29일 밝혔다. 또 이르면 하반기 대형 퀀텀닷유기발광다이오드(QD-OLED·QLED) TV 제품을 출시하는 등 기술 초격차에 다시 한번 고삐를 죈다는 각오다.

삼성전자는 이날 1분기 실적 발표 뒤 이어진 콘퍼런스콜에서 "7세대 V낸드를 하반기 본격 양산할 예정"이라며 "8세대 V낸드도 내년 하반기까지 양산할 수 있도록 계획 중"이라고 설명했다. 낸드 시장의 압도적 1위인 삼성전자이지만 최근 미국 마이크론과 SK하이닉스가 삼성전자에 앞서 7세대 V낸드 양산·개발 완료 소식을 전하며 바짝 긴장한 상태다.

D램 메모리는 극자외선(EUV) 노광장비를 활용한 10나노급 차세대 제품을 하반기 생산한다. 삼성전자는 EUV 기반 D램 기술을 선도하고 있고 현재 양산 중인 15나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 회로선폭 D램에 이어 하반기는 14나노 D램을 양산한다. 반도체는 회로선폭이 줄어들수록 생산성과 칩 성능이 향상된다. 삼성전자는 또 전 세계 D램의 차세대 표준규격인 DDR5 램 기술 개발을 위해 글로벌 정보기술(IT) 기업들과도 협력을 강화한다고 설명했다.

시스템 반도체 수탁생산(파운드리) 분야에서는 3나노 2세대 공정 기술 개발에 착수했다고 삼성전자는 공개했다. 삼성전자는 내년 하반기부터 3나노 공정 기반 반도체를 양산한다는 계획이다. 3나노 2세대 기술은 현재 공정 개발이 완료된 3나노 1세대보다 한 단계 진화한 것이다. 대만의 TSMC를 빼면 현재 5나노급 반도체 공정을 상용화한 기업은 삼성전자뿐이다.

삼성전자는 접을 수 있는 폴더블 스마트폰(Z폴드·Z플립) 신제품 라인업을 하반기 확대하기로 했다.

[이종혁 기자]