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SK하이닉스 'HBM3' D램 첫 개발

나기천 입력 2021. 10. 20. 22:01

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SK하이닉스가 현존 최고 사양 D램인 'HBM3'(사진)를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다.

SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 HBM2E D램 양산을 시작한 지 1년3개월 만에 HBM3를 개발했다.

SK하이닉스 측은 "이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론 품질 수준도 크게 높였다"고 강조했다.

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현존 최고 속도·최대 용량 구현
영화 163편 분량 1초 만에 처리
SK하이닉스가 현존 최고 사양 D램인 ‘HBM3’(사진)를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다. HBM3는 고성능 데이터센터에 탑재되며, 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 전망이다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 이번 HBM3는 HBM의 4세대 제품이다. SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 HBM2E D램 양산을 시작한 지 1년3개월 만에 HBM3를 개발했다.

SK하이닉스 측은 “이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론 품질 수준도 크게 높였다”고 강조했다.

HBM3는 초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다.

또 이 제품에는 오류정정코드가 내장돼 있다. HBM3는 이 코드를 통해 D램 셀에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있어 제품의 신뢰성도 크게 높아졌다.

HBM3는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시될 예정이다. 24GB는 업계 최대 용량이다. 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 3분의1인 약 30μm(마이크로미터) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV 기술로 수직 연결해냈다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 기술이다.

SK하이닉스 차선용 부사장(D램개발담당)은 “앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하는 한편 환경·사회·지배구조(ESG) 경영에 부합하는 제품을 공급하여 고객가치를 높이기 위해 최선을 다하겠다”고 말했다.

나기천 기자 na@segye.com

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