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TSMC 측 "삼성, 5나노도 우리 못 따라잡았는데 3나노에서?"

김재현 전문위원 입력 2021. 12. 28. 12:11 수정 2021. 12. 28. 13:54

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전 TSMC 연구개발 책임자가 삼성전자는 7나노(㎚·10억분의 1미터), 5나노 공정을 개발할 때도 TSMC를 따라잡겠다고 했지만 성공하지 못했다며, 3나노 공정에서도 TSMC를 따라잡을 가능성이 희박하다는 생각을 내보였다.

28일 대만 IT전문매체 전자시보(電子時報)에 따르면 린번젠 TSMC 전 R&D 부문 부총재는 "삼성전자가 7나노, 5나노 등 매 공정마다 TSMC를 앞지르겠다고 호언장담하는 동안 TSMC는 묵묵히 연구개발에 집중해왔다"고 밝혔다.

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린번젠 TSMC 전 R&D 부문 부총재, 삼성 3나노 선진입 전망에도 부정적..현지매체 "TSMC 보수적 접근 방식"
린번젠 TSMC 전 부총재/사진=중국 인터넷

전 TSMC 연구개발 책임자가 삼성전자는 7나노(㎚·10억분의 1미터), 5나노 공정을 개발할 때도 TSMC를 따라잡겠다고 했지만 성공하지 못했다며, 3나노 공정에서도 TSMC를 따라잡을 가능성이 희박하다는 생각을 내보였다.

28일 대만 IT전문매체 전자시보(電子時報)에 따르면 린번젠 TSMC 전 R&D 부문 부총재는 "삼성전자가 7나노, 5나노 등 매 공정마다 TSMC를 앞지르겠다고 호언장담하는 동안 TSMC는 묵묵히 연구개발에 집중해왔다"고 밝혔다. 또한 "투자금액이 막대한 3나노 및 이하 초미세공정은, 난이도가 높은 반면 개발은 순조롭지 않을 수 있다"며 이 때문에 TSMC가 조심스럽게 접근하고 있다고 강조했다.

전자시보는 기존 삼성전자뿐 아니라 인텔까지 올해 파운드리(반도체 위탁생산) 재진출을 선언하면서 초미세공정 개발 경쟁이 치열해졌으며 이로 인해 TSMC의 부담이 커졌다고 분석했다.

지난 3월 인텔은 미국 애리조나주에 200억 달러(약 23조7000억원)를 투자해 반도체 공장을 짓겠다고 밝힌 바 있다. 삼성전자 역시 지난 11월 텍사스주 테일러시에 170억 달러(약 20조원) 규모의 미국 제2 파운드리 공장을 건설하겠다고 밝히는 등 글로벌 반도체 업체의 대규모 투자가 진행되고 있다.

/사진=AFP

올해 TSMC도 3년간 1000억 달러(약 118조원)에 달하는 투자를 집행하겠다고 밝혔다. TSMC는 미국 애리조나주에 120억 달러(약 14조2000억원)를 투자해, 2024년 완공을 목표로 파운드리 공장을 건설하고 있다.

TSMC는 시설투자뿐 아니라 연구개발에도 몰두하고 있다. 극자외선(EUV) 제조공정에 진입한 후 7나노, 5나노 공정 개발에서 선두자리를 지켰으며 내년 하반기 3나노 공정에 진입할 예정이다. 차세대 트랜지스터 구조로 불리는 게이트올어라운드(GAA) 기반 공정이 아니라 기존 FinFET 기반 공정이지만, TSMC는 안정적인 기술 개선에 방점을 찍고 있다.

전자시보는 보수적인 TSMC의 접근방식이 삼성전자로 하여금 내년 상반기 GAA기반 3나노 공정 양산을 시작하고 2023년 3나노 2세대 양산, 2025년 2나노 공정에 진입한다는 공격적인 계획을 발표하면서 "내년 3나노에서 TSMC를 앞설 것"이라고 장담하는 기회를 줬다고 분석했다.

한편 전자시보는 비록 TSMC가 독보적 지위를 유지하고 있지만, 미중무역 충돌과 지정학적인 리스크가 증가로 장애물이 늘어나고 있다고 보도했다. 또한 내년 삼성과의 격차를 벌릴 뿐 아니라 퀄컴, AMD 등 주요고객사의 주문이 삼성으로 가는 걸 방지하고 경쟁자면서 고객인 인텔과 공존하는 것이 TSMC 앞에 놓인 과제라고 밝혔다.

김재현 전문위원 zorba00@mt.co.kr

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